传苹果新款iPhone NAND Flash改采BGA封装韩锡球业者意外受惠

  依据ET News报道，业界音讯指出，因为鸿海对苹果表明LGA封装的NAND Flash存储器简单从主机板上掉落，主张改动封装方法，因而日前苹果告诉存储器业者，用于下一款iPhone的NAND Flash存储器一定要选用BGA封装。

  从前因为LGA制程易于进行电磁搅扰(EMI)遮盖制程加工，因而苹果挑选以LGA进行存储器封装。但担任产品代工拼装的鸿海表明，用在LGA制程的锡膏(solder paste)黏着力缺乏，易使外表黏着(surface mounting)发生良率问题，因而主张苹果改用BGA封装存储器。

  据了解，苹果承受鸿海主张，因而日前已告诉担任出产NAND Flash的存储器业者，搭载于下一款iPhone手机的NAND Flash一定要选用BGA封装。业界以为，到时苹果将对由锡、银、铜组成的焊接锡球发生很多需求。

  苹果决议改采BGA技能封装NAND Flash，因而要求业者有必要尽量缩小芯片与主机板间的间隔，便利EMI遮盖制程进行。为此，EMI遮盖业者活跃开发新技能，保证面临BGA封装的存储器时也能完结作业。

  业界表明，锡球在韩国半导体范畴算得上是国产化速度较快的资料，其间DS Hi-Metal、MK电子(MK Electron)更在全球商场位居第二、第三，仅次于日本千住金属(Senju Metal)，市占率分别为20%、19%及40%。

  苹果在iPhone的NAND Flash存储器上选用BGA封装后，有或许逐渐扩展应用到其他产品，也或许带动其他业者跟进，因而未来商场上对锡球的需求必然添加。

  现在三星电子(Samsung Electronics)的锡球供货商有DS Hi-Metal、Phoenix Materials、千住金属及MK电子；SK海力士(SK Hynix)则有DS Hi-Metal、MK电子、千住金属及韩国未上市公司SDS担任供给。

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